第三百四十六章 挖光刻胶友商祖坟？陈星还让不让人活了？（第2 / 9页）

过硬的业务水平，言简意赅的讲解让陈星收获了掌声与称赞，不过他也只是停顿了片刻，待现场掌声稍稍减弱，他压了压手，示意安静下来道：

“现在大家都对光刻抗阻有了一定的认知，那我就不得不再提光刻抗阻为什么可以反应出纯度，亦或者说品质。”

“玩过光源聚焦的都知道，光束越集中，单点能量就越强，这个大家可以拿个放大镜去聚焦太阳光，我就不过多赘述了。”

“目前的光刻机光源，分为已经半淘汰的248纳米，主要用于90纳米以上的光刻，其次是193纳米光源和13.5纳米光源，这里值得注意的是，13.5纳米光源只有EUV光刻机可以做到。”

只见视频中间部分，弱抗阻的劣质光刻胶在被光刻胶进行光刻后，本该不发生反应的区域也发生了化学反应，导致相对应的裸片集成电路出现了瑕疵。

随着视频播放完，陈星又耐心讲解道：“如正如各位视频所见，抗阻弱的光刻胶会让本不该被曝光的区域发生化学反应。”

“举个例子，我想光刻l型图案，我的光掩膜版也是l型图案，可光刻的同时，因为使用了劣质光刻胶，导致图案上方也发生了化学反应，l型图案成了i型，多了那么一点，这就是半导体硅片污染。”

“啪啪啪——”

陈星缓口气的间隙，现场就响起了雷鸣般的掌声，直播间弹幕更是不停刷出。

在全网都在思索陈星想干嘛时，他却不紧不慢地介绍产品道：“10^25光刻抗阻的光刻胶，它到底有什么优势呢？”

“芯片业内人士都清楚，芯片的原材料就是半导体硅片，而想要让半导体硅片变成芯片裸片，它就需要进行光刻曝光。”

“说到光刻曝光，那自然少不了光刻胶，也正因为光刻胶会与光源产生化学反应，我们才能把错综复杂，上百亿晶体管的集成电路刻在指甲盖大小的裸片上。”

“回归正题。”

陈星稍稍侧开身体，看向身后的LED屏幕按下PPT遥控器道：“那什么是阻抗呢？”

“不是陈总，上帝到底给你关了哪扇门啊？你这个男人真特么完美到无可挑剔！”

“这讲述水平绝了，哪怕陈总是背诵稿子的，能够记住这么多，那也是天才级别。”

“大伙说有没有可能，其实陈总表面是公司首席总裁，实际背地里还有一层身份，那就是龙兴科技公司的首席科学家？”

“还真别说，确实有这个可能。”

“好好好，反差男是吧？”

“说白了，它其实代表了光刻胶的纯度，抗阻越高，”就代表光刻胶纯度越高，而纯度不足就会造成半导体硅片污染，损坏光刻集成电路，下面让我们一起看个演示视频，相信看完以后，会让大家对抗阻有更深层次的理解。”

话音落下。

LED屏幕出现了演示视频。

演示的内容是芯片光刻的整个过程，经过曝光后，视频立即切换到微观层面，去演示光刻胶变化和产生的化学反应。

上千万观众不敢眨眼睛，生怕错过了细节。